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高純水設(shè)備中膜面水解離過(guò)程的數(shù)值計(jì)算研究

時(shí)間:2014-11-13 作者:admin 點(diǎn)擊:451次

通過(guò)對(duì)高純水設(shè)備過(guò)程進(jìn)行二維建模并求解,模擬了高純水設(shè)備運(yùn)行中陰陽(yáng)膜的膜面水解離及其產(chǎn)物在床層中的傳遞過(guò)程.結(jié)

果表明,由于陰膜界面上存在水解離催化基團(tuán),陰膜水解離程度要高于陽(yáng)膜,過(guò)量的陰膜水解離產(chǎn)物H+能穿過(guò)電流湮滅區(qū)使得靠

近陽(yáng)膜的陽(yáng)樹(shù)脂再生而陽(yáng)膜水解離產(chǎn)物OH-不能穿過(guò)電流湮滅區(qū),導(dǎo)致淡室出口處陰膜附近的陰樹(shù)脂的轉(zhuǎn)化率極低.根據(jù)再生樹(shù)

脂對(duì)鹽離子遷移的增強(qiáng)作用,陽(yáng)鹽離子去除率要高于陰鹽離子,因此陰陽(yáng)鹽離子目標(biāo)去除率同時(shí)達(dá)到的時(shí)候,陰膜產(chǎn)生了無(wú)效的

水解離,此水解離在必要水解離之外.因此EDI電流效率低的主要原因是陰陽(yáng)膜水解離程度的差異.

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